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| item | 名称 | 描述 | 封装 | 输出电流 | 输入电压 | 输入耐压 | 输出电压 | 精度 | 工作温度 |
| 1 | AH431 | 可调精密分流稳压芯片 | SOT-23 | 100mA | 36V | 40V | 2.5V | 0.4% | -40℃~+125℃ |
| AH431 | 可调精密分流稳压芯片 | TO-92 | 100mA | 36V | 40V | 2.5V | 0.4% | -40℃~+125℃ | |
| 2 | AH432 | 可调精密分流稳压芯片 | SOT-23 | 100mA | 18V | 20V | 1.25V | 0.5% | -40℃~+125℃ |
| item | 名称 | 描述 | 封装 | 最大输出电流 | 最大输入电压 | 最大输入耐压 | 输出电压 | 精度 | 压差 | 输入/输出电容 | 工作温度 |
| 1 | LM317 | 可调电压稳压芯片 | TO-220 | 1.5A | 32V | 35V | 1.25V~32V可调 | ±4% | / | Cin=0.1uf ;Cout=1uf | -40℃~+125℃ |
| 2 | AH7805 | 三端正电压线性稳压芯片 | T0-220 | 1.0A | 25V | 36V | 5V | ±5% | 2V (Vout=5V@1A) | Cin=0.33uf ;Cout=0.1uf | -40℃~+125℃ |
| 3 | AH78M05 | 三端正电压线性稳压芯片 | TO-252 | 0.5A | 30V | 36V | 5V | ±5% | 1.8V (Vout=5V@250mA) | Cin=0.33uf ;Cout=0.1uf | -40℃~+125℃ |
| 4 | AH78L05 | 三端正电压线性稳压芯片 | SOT-89 | 100mA | 30V | 36V | 5V | ±3% | 1.8V (Vout=5V@100mA) | Cin=0.33uf ;Cout=0.1uf | -40℃~+125℃ |
| item | 名称 | 描述 | 封装 | 最大输出电流 | 最大输入电压 | 最大输入耐压 | 输出电压 | 精度 | 压差 | 输入/输出电容 | 工作温度 |
| 1 | AMS1117-3.3 | LDO低压差线性稳压芯片 | SOT-223 | 1.0A | 13V | 16V | 3.3V | ±1% | 1.1V@1A | Cin=1uf ;Cout=1uf | -40℃~+125℃ |
| 2 | AMS1117-5.0 | LDO低压差线性稳压芯片 | SOT-223 | 1.0A | 13V | 16V | 5.0V | ±1% | 1.1V@1A | Cin=1uf ;Cout=1uf | -40℃~+125℃ |
| 3 | AH7550 | 宽电压低功耗 LDO稳压芯片 | SOT-89 | 150mA | 24V | 24V | 5.0V | ±1%±2% | 100mV @ Iout=1mA | Cin=10uf ;Cout=10uf | -40℃~+85℃ |
| item | 名称 | 描述 | 封装 | 工作电压 | IBIAS | ICC | 输入失调电压VIO | 电压增益 | 共模抑制比 | 电源抑制比 | 工作温度 |
| 1 | LM324 | 低功耗四路运算放大器 | SOP-14 | 3V~36V;±1.5V~±18V | 20~100nA | 0.7~3.0 mA | 2~7 mV | 100dB | 70dB | 100dB | -40℃~+85℃ |
| 2 | LM358 | 低功耗两路运算放大器 | SOP-8 | 3V~36V;±1.5V~±18V | 20~200nA | 0.5~2.0 mA | 2~5 mV | 100dB | 70dB | 100dB | -40℃~+85℃ |
| item | 名称 | 描述 | 封装 | VCCMAX | VTH(ST) | VDD | VREF | Iout(MAX) | VFB | Vcomp | PD | f震荡频率 | 工作温度 |
| 1 | AH3706 | 隔离式PFM控制电源管理IC | SOP-8 | 30V | 18.5V | 5V | / | 50mA | 4V | 3.60V | 657mW | / | -40℃~+85℃ |
| 2 | UC3842 | 隔离式PWM控制电源管理IC | SOP-8 | 30V | 16V | / | 5V | ±1A | / | / | 460mW | 500KHz | -40℃~+85℃ |
| item | 名称 | 描述 | 封装 | 最大输入电压 | 最大输出电流 | 最大输出电压 | 通道 | 工作温度 | 特点和用途 |
| 1 | ULN2003A | 达林顿晶体管阵列IC | SOP-16 | 30V | 500mA | 50V | 7路 | -40℃~+105℃ | 输入可直接与5V TTL逻辑电路相连。驱动各种负载:螺线管、继电器、直流电机、LED 显示屏、白炽灯、热敏打印头和高功率缓冲器等。 |
| item | 名称 | 描述 | 封装 | CTR | VISO | BVCEO | BVEBO | RIO | tr | tf | VCE(sat) | 工作温度 |
| VIO=500Vdc,40~60%R.H | VCE=2V,IC=2mA,RL=100Ω | IC=1mA,IF=20mA | ||||||||||
| 1 | PC817 | 线性光耦芯片 | DIP-4 | 50%~600% | 5000Vrms | 35V | 6V | 5x10¹⁰Ω | 18μs | 18μs | 0.2V | -55℃~+110℃ |
| item | 名称 | 描述 | 封装 | 类型 | VDSS(V) | VGS(V) | IDS(A) | VTH(V) | RDSON(mΩ) | 工作温度 | |||
| 10V | 4.5V | 2.5V | |||||||||||
| 1 | 2300 | 低压MOS场效应晶体管 | SOT-23 | N型 | 20 | ±12 | 5.8 | 0.8 | 1.6 | 28 | 33 | 52 | -40℃~+125℃ |
| 2 | 3400 | 低压MOS场效应晶体管 | SOT-23 | N型 | 30 | ±12 | 5.8 | 0.8 | 1.6 | 28 | 33 | 52 | -40℃~+125℃ |
| 3 | AH4N65 | 高压功率MOS场效应管 | TO-252 | N型 | 650 | ±30 | 4 | 2 | 4 | 2500 (ID=2.2A) | / | / | -40℃~+125℃ |
| 4 | AH7N65 | 高压功率MOS场效应管 | TO-220F | N型 | 650 | ±30 | 7.4 | 2 | 4 | 1200 (ID=3.7A) | / | / | -40℃~+125℃ |
| 5 | AH12N65F | 高压功率MOS场效应管 | TO-220F | N型 | 650 | ±30 | 12 | 2 | 4 | 850 (ID= 6 A) | / | / | -40℃~+125℃ |
| item | 名称 | 描述 | 封装 | PCM(mW) | ICM(mA) | BVCBO | BVCEO | BVEBO | hFE | VCE(sat) | fT(MHz) | 工作温度 | |||||
| MIN | MAX | VCE | IC | (V) | IC(mA) | IB(mA) | |||||||||||
| 1 | AHS8050 | NPN三极管 | SOT-23 | 300 | 500 | 40V | 25V | 5V | 120 | 400 | 1V | 50mA | 0.6 | 500 | 50 | 150 | -40℃~+105℃ |
| 2 | AHS8550 | PNP三极管 | SOT-23 | 300 | -500 | -40V | -25V | -5V | 120 | 400 | -1V | -50mA | -0.6 | -500 | -50 | 150 | -40℃~+105℃ |
| item | 名称 | 描述 | 封装 | IF(total) | IFSM | VR | VF | TJ | 工作温度 |
| 1 | MBR30100CT | 肖特基整流二极管 | TO-220F | 30A | 275A | 100V | 0.85V | 150℃ | -40℃~+125℃ |
| item | 名称 | 描述 | 封装 | VCEO | VCBO | VEBO | IC | ICM | Ts(max) | Tr(max) | Tf(max) | IB | IBM | PTOT | 工作温度 |
| 1 | AH4018A1D | NPN型功率开关管 | TO-92 | 450V | 800V | 9V | 1.8A | 3.6A | 4.5μs | 1μs | 1μs | 0.9A | 1.8A | 0.8W | -40℃~+125℃ |
| 2 | AH4020A6D | NPN型功率开关管 | TO-126 | 400V | 700V | 9V | 2A | 4A | 4.5μs | 1μs | 1μs | 1A | 2A | 50W | -40℃~+125℃ |
愿景:成为受客户信赖,伙伴信任,同行尊敬和员工爱戴的元器件品牌商。
使命:通过在芯片流片、芯片设计、封测整合上的持续创新, 帮助客户以更低的价格获取更高品质的产品。