基准电压源IC
item
名称
描述封装输出电流
输入电压输入耐压
输出电压
精度工作温度
1
AH431可调精密分流稳压芯片
SOT-23100mA
36V40V
2.5V
0.4%-40℃~+125℃
AH431可调精密分流稳压芯片TO-92100mA36V40V2.5V0.4%-40℃~+125℃
2AH432可调精密分流稳压芯片SOT-23100mA18V
20V
1.25V0.5%-40℃~+125℃
三端稳压IC
item
名称
描述封装最大输出电流
最大输入电压最大输入耐压
输出电压
精度压差输入/输出电容工作温度
1
LM317可调电压稳压芯片
TO-220
1.5A
32V
35V
1.25V~32V可调
±4%/
Cin=0.1uf ;Cout=1uf-40℃~+125℃
2AH7805
三端正电压线性稳压芯片
T0-220
1.0A
25V
36V
5V
±5%2V (Vout=5V@1A)Cin=0.33uf ;Cout=0.1uf-40℃~+125℃
3AH78M05
三端正电压线性稳压芯片TO-252
0.5A
30V
36V
5V±5%1.8V (Vout=5V@250mA)
Cin=0.33uf ;Cout=0.1uf-40℃~+125℃
4AH78L05
三端正电压线性稳压芯片SOT-89
100mA
30V36V5V±3%1.8V (Vout=5V@100mA)Cin=0.33uf ;Cout=0.1uf-40℃~+125℃
LDO
item
名称
描述封装最大输出电流
最大输入电压最大输入耐压
输出电压
精度压差输入/输出电容工作温度
1
AMS1117-3.3LDO低压差线性稳压芯片SOT-223
1.0A
13V
16V
3.3V±1%1.1V@1ACin=1uf ;Cout=1uf-40℃~+125℃
2AMS1117-5.0LDO低压差线性稳压芯片SOT-2231.0A
13V
16V
5.0V
±1%1.1V@1ACin=1uf ;Cout=1uf-40℃~+125℃
3AH7550宽电压低功耗 LDO稳压芯片SOT-89
150mA
24V
24V
5.0V±1%±2%100mV @ Iout=1mACin=10uf ;Cout=10uf-40℃~+85℃
运算放大器
item
名称
描述封装工作电压IBIASICC输入失调电压VIO电压增益共模抑制比电源抑制比工作温度
1
LM324
低功耗四路运算放大器SOP-143V~36V;±1.5V~±18V20~100nA0.7~3.0 mA2~7 mV100dB70dB100dB-40℃~+85℃
2LM358
低功耗两路运算放大器SOP-83V~36V;±1.5V~±18V20~200nA0.5~2.0 mA2~5 mV100dB70dB100dB-40℃~+85℃
电源管理IC
item
名称
描述封装VCCMAXVTH(ST)VDDVREFIout(MAX)VFBVcompPDf震荡频率工作温度
1
AH3706隔离式PFM控制电源管理ICSOP-830V18.5V5V/50mA4V3.60V657mW/-40℃~+85℃
2UC3842隔离式PWM控制电源管理ICSOP-830V16V/5V±1A//460mW500KHz-40℃~+85℃
达林顿管
item
名称
描述封装最大输入电压最大输出电流最大输出电压通道工作温度特点和用途
1
ULN2003A达林顿晶体管阵列ICSOP-1630V500mA50V7路-40℃~+105℃输入可直接与5V TTL逻辑电路相连。驱动各种负载:螺线管、继电器、直流电机、LED 显示屏、白炽灯、热敏打印头和高功率缓冲器等。
光耦
item
名称
描述封装CTRVISOBVCEOBVEBORIOtrtfVCE(sat)工作温度
VIO=500Vdc,40~60%R.HVCE=2V,IC=2mA,RL=100ΩIC=1mA,IF=20mA
1
PC817线性光耦芯片DIP-450%~600%5000Vrms35V
6V5x10¹⁰Ω18μs18μs0.2V-55℃~+110℃
MOS管
item
名称
描述封装类型VDSS(V)VGS(V)IDS(A)VTH(V)RDSON(mΩ)工作温度
10V4.5V2.5V
1
2300低压MOS场效应晶体管SOT-23N型20±125.80.81.6283352-40℃~+125℃
23400低压MOS场效应晶体管SOT-23N型30±125.80.81.62833
52-40℃~+125℃
3AH4N65高压功率MOS场效应管TO-252N型650±304242500 (ID=2.2A)//-40℃~+125℃
4AH7N65高压功率MOS场效应管TO-220FN型650±307.4241200 (ID=3.7A)//-40℃~+125℃
5AH12N65F高压功率MOS场效应管TO-220FN型650±301224850 (ID= 6 A)//-40℃~+125℃
三极管
item
名称
描述封装PCM(mW)ICM(mA)BVCBOBVCEOBVEBOhFEVCE(sat)fT(MHz)工作温度
MINMAXVCEIC(V)
IC(mA)IB(mA)
1
AHS8050
NPN三极管SOT-2330050040V25V5V1204001V50mA0.650050150-40℃~+105℃
2AHS8550PNP三极管SOT-23300-500-40V-25V-5V120400-1V-50mA-0.6-500-50150-40℃~+105℃
二极管
item
名称
描述封装IF(total)IFSMVRVFTJ工作温度
1
MBR30100CT肖特基整流二极管TO-220F30A275A100V0.85V150℃-40℃~+125℃
功率开关管
item
名称
描述封装VCEOVCBOVEBOICICMTs(max)Tr(max)Tf(max)IBIBMPTOT工作温度
1
AH4018A1D
NPN型功率开关管TO-92450V800V9V1.8A3.6A4.5μs1μs1μs0.9A1.8A0.8W-40℃~+125℃
2AH4020A6DNPN型功率开关管TO-126400V700V9V2A4A4.5μs1μs1μs1A2A50W-40℃~+125℃
点击此处查看产品手册